MEMS器件高溫工作試驗(yàn)
試驗(yàn)范圍
1、MEMS傳感器:加速度傳感器、陀螺儀傳感器、壓力傳感器、慣性組合傳感器、聲學(xué)傳感器、氣體傳感器、溫度傳感器、溫度傳感器、光學(xué)傳感器、MEMS射頻器件、微型熱輻射傳感器、磁傳感器。
2、MEMS執(zhí)行器:DMD數(shù)字微鏡器件、噴墨打印頭、生物芯片、射頻MEMS、微結(jié)構(gòu)、微型揚(yáng)聲器、超聲波指紋識(shí)別等。
MEMS器件高溫工作試驗(yàn)
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 38341-2019 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗(yàn)方法
GB/T 26111 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 術(shù)語(yǔ)
GB 2423.1電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法
GB 2423.2電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法
GB 2423.3電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
GB 2423.5電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境規(guī)程 試驗(yàn)Ea:沖擊試驗(yàn)方法
GB 2423.6電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Eb:碰撞試驗(yàn)方法
GB 2423.10電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Fc:振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)方法
健明迪檢測(cè)可靠性實(shí)驗(yàn)中心具備各種MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰Γ瑸镸EMS器件提供專(zhuān)業(yè)的高溫工作試驗(yàn)等服務(wù)。
MEMS器件高溫工作試驗(yàn)
試驗(yàn)背景
MEMS器件高溫工作試驗(yàn)可在器件帶電工作的情況下確定MEMS器件在高溫下工作的可靠性,試驗(yàn)對(duì)象主要為高集成設(shè)備中在高環(huán)境溫度下工作的MEMS器件。
健明迪檢測(cè)可靠性實(shí)驗(yàn)中心具備各種MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰Γ瑸镸EMS器件提供專(zhuān)業(yè)的高溫工作試驗(yàn)等服務(wù)。
MEMS器件高溫工作試驗(yàn)
試驗(yàn)方法
1、待測(cè)器件加電置于試驗(yàn)箱內(nèi),配套的驅(qū)動(dòng)電路板或測(cè)試板應(yīng)在試驗(yàn)溫度下穩(wěn)定工作。
2、若無(wú)其他規(guī)定,試驗(yàn)時(shí)間應(yīng)不小于72 h。宜采用最低試驗(yàn)溫度為±105℃。
3、試驗(yàn)前將待測(cè)器件取出,自然散熱2 h~48 h至室溫,最長(zhǎng)應(yīng)不超過(guò)96 h,然后在標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件中進(jìn)行測(cè)試。